RV1C001ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RV1C001ZP
   Código: RX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: VML0806

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RV1C001ZP

RV1C001ZP Datasheet (PDF)

..1. Size:433K rohm
rv1c001zp.pdf

RV1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS-20VVML0806RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(-1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD P

8.1. Size:438K rohm
rv1c002un.pdf

RV1C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS20VVML0806RDS(on) (Max.)2.0WID150mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD Protec

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Liste

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