RV1C001ZP Todos los transistores

 

RV1C001ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RV1C001ZP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: VML0806
 

 Búsqueda de reemplazo de RV1C001ZP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RV1C001ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  rohm
 rv1c001zp.pdf pdf_icon

RV1C001ZP

RV1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS-20VVML0806RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(-1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD P

 8.1. Size:438K  rohm
 rv1c002un.pdf pdf_icon

RV1C001ZP

RV1C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS20VVML0806RDS(on) (Max.)2.0WID150mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD Protec

Otros transistores... RTR030N05FRA , RTR030N05TL , RTR030P02 , RTR030P02FHA , RTR030P02TL , RTR040N03FRA , RTR040N03TL , RTU002P02T106 , K2611 , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP .

History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.