RV1C001ZP - описание и поиск аналогов

 

RV1C001ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RV1C001ZP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: VML0806

Аналог (замена) для RV1C001ZP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RV1C001ZP даташит

 ..1. Size:433K  rohm
 rv1c001zp.pdf pdf_icon

RV1C001ZP

RV1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline (3) VDSS -20V VML0806 RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (1) PD 100mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Ultra small Package (0806size). (1) Gate 2) Low voltage drive(-1.2V) makes this (2) Source device ideal for partable equipment. (3) Drain 3) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 4) Built-in ESD P

 8.1. Size:438K  rohm
 rv1c002un.pdf pdf_icon

RV1C001ZP

RV1C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline (3) VDSS 20V VML0806 RDS(on) (Max.) 2.0W ID 150mA (1) PD 100mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Ultra small Package (0806size). (1) Gate 2) Low voltage drive(1.2V) makes this (2) Source device ideal for partable equipment. (3) Drain 3) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 4) Built-in ESD Protec

Другие MOSFET... RTR030N05FRA , RTR030N05TL , RTR030P02 , RTR030P02FHA , RTR030P02TL , RTR040N03FRA , RTR040N03TL , RTU002P02T106 , 8N60 , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP .

History: DMP2004VK | SSI65R360S2 | AP3P010H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.