RV1C002UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RV1C002UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: VML0806
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RV1C002UN datasheet
rv1c002un.pdf
RV1C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline (3) VDSS 20V VML0806 RDS(on) (Max.) 2.0W ID 150mA (1) PD 100mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Ultra small Package (0806size). (1) Gate 2) Low voltage drive(1.2V) makes this (2) Source device ideal for partable equipment. (3) Drain 3) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 4) Built-in ESD Protec
rv1c001zp.pdf
RV1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline (3) VDSS -20V VML0806 RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (1) PD 100mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Ultra small Package (0806size). (1) Gate 2) Low voltage drive(-1.2V) makes this (2) Source device ideal for partable equipment. (3) Drain 3) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 4) Built-in ESD P
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