Справочник MOSFET. RV1C002UN

 

RV1C002UN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RV1C002UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: VML0806

 Аналог (замена) для RV1C002UN

 

 

RV1C002UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  rohm
 rv1c002un.pdf

RV1C002UN RV1C002UN

RV1C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS20VVML0806RDS(on) (Max.)2.0WID150mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD Protec

 8.1. Size:433K  rohm
 rv1c001zp.pdf

RV1C002UN RV1C002UN

RV1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutline(3) VDSS-20VVML0806RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(1) PD100mW(2) lFeatures lInner circuit1) Ultra small Package (0806size).(1) Gate 2) Low voltage drive(-1.2V) makes this(2) Source device ideal for partable equipment.(3) Drain 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Built-in ESD P

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top