RV3C001ZP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RV3C001ZP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
Encapsulados: VML0604
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RV3C001ZP datasheet
rv3c001zp.pdf
TENTATIVE RV3C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -20V VML0604 RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA PD 100mW lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Ultra Small Package (0.6 0.4 0.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (-1.2V) makes this (3) Drain device ideal for partable equipment. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can
rv3c002un.pdf
TENTATIVE RV3C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 20V VML0604 RDS(on) (Max.) 2.0W ID 150mA PD 100mW lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Ultra Small Package (0.6 0.4 0.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (1.2V) makes this (3) Drain device ideal for partable equipment. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can be s
Otros transistores... RTR040N03FRA , RTR040N03TL , RTU002P02T106 , RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , STP65NF06 , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 .
History: IRF7240PBF | SWD9N25D
History: IRF7240PBF | SWD9N25D
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