Справочник MOSFET. RV3C001ZP

 

RV3C001ZP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RV3C001ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: VML0604
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RV3C001ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  rohm
 rv3c001zp.pdf pdf_icon

RV3C001ZP

TENTATIVERV3C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Data SheetlOutlineVDSS-20V VML0604RDS(on) (Max.)3.8WID-100mAPD100mWlInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Ultra Small Package (0.60.40.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (-1.2V) makes this (3) Drain device ideal for partable equipment.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can

 8.1. Size:589K  rohm
 rv3c002un.pdf pdf_icon

RV3C001ZP

TENTATIVERV3C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET Data SheetlOutlineVDSS20V VML0604RDS(on) (Max.)2.0WID150mAPD100mWlInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Ultra Small Package (0.60.40.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (1.2V) makes this(3) Drain device ideal for partable equipment.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can be s

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | IRF1405ZS | IXFE48N50Q | HAT2043R | KHB6D0N40P | 4N65KL-T2Q-R

 

 
Back to Top

 


 
.