RV3C001ZP - описание и поиск аналогов

 

RV3C001ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RV3C001ZP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: VML0604

Аналог (замена) для RV3C001ZP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RV3C001ZP даташит

 ..1. Size:633K  rohm
 rv3c001zp.pdf pdf_icon

RV3C001ZP

TENTATIVE RV3C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -20V VML0604 RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA PD 100mW lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Ultra Small Package (0.6 0.4 0.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (-1.2V) makes this (3) Drain device ideal for partable equipment. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can

 8.1. Size:589K  rohm
 rv3c002un.pdf pdf_icon

RV3C001ZP

TENTATIVE RV3C002UN Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 20V VML0604 RDS(on) (Max.) 2.0W ID 150mA PD 100mW lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Ultra Small Package (0.6 0.4 0.36mm) (2) Source 2) Low voltage drive (1.2V) makes this (3) Drain device ideal for partable equipment. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 3) Drive circuits can be s

Другие MOSFET... RTR040N03FRA , RTR040N03TL , RTU002P02T106 , RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , STP65NF06 , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 .

History: BSC150N03LD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.