RZE002P02TL Todos los transistores

 

RZE002P02TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZE002P02TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

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RZE002P02TL Datasheet (PDF)

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RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT31.6 0.7 Features 0.550.31) High speed switching. ( )32) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( )2 10.2 0.20.150.5 0.51.0 Applications (1)SourceSwitching (2)Gate(3)Drain Abbreviated symbol : YK Package specifications Inner circuit Package Taping(3

 5.1. Size:219K  rohm
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RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT31.6 0.7 Features 0.550.31) High speed switching. ( )32) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( )2 10.2 0.20.150.5 0.51.0 Applications (1)SourceSwitching (2)Gate(3)Drain Abbreviated symbol : YK Package specifications Inner circuit Package Taping(3

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History: IXTH86N25T | AON6572 | AON6294 | IPD06N03LBG | TDM3744 | STN1HNK60 | AON6458

 

 
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