RZE002P02TL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZE002P02TL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: EMT3
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RZE002P02TL datasheet
rze002p02tl.pdf
1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3
rze002p02.pdf
1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3
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History: SGM2305A | 2SK3109-ZJ | HM1404D
History: SGM2305A | 2SK3109-ZJ | HM1404D
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