Справочник MOSFET. RZE002P02TL

 

RZE002P02TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RZE002P02TL
   Маркировка: YK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: EMT3

 Аналог (замена) для RZE002P02TL

 

 

RZE002P02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  rohm
 rze002p02tl.pdf

RZE002P02TL RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT31.6 0.7 Features 0.550.31) High speed switching. ( )32) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( )2 10.2 0.20.150.5 0.51.0 Applications (1)SourceSwitching (2)Gate(3)Drain Abbreviated symbol : YK Package specifications Inner circuit Package Taping(3

 5.1. Size:219K  rohm
 rze002p02.pdf

RZE002P02TL RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT31.6 0.7 Features 0.550.31) High speed switching. ( )32) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( )2 10.2 0.20.150.5 0.51.0 Applications (1)SourceSwitching (2)Gate(3)Drain Abbreviated symbol : YK Package specifications Inner circuit Package Taping(3

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36337

 

 
Back to Top