RZE002P02TL - описание и поиск аналогов

 

RZE002P02TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZE002P02TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: EMT3

Аналог (замена) для RZE002P02TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZE002P02TL даташит

 ..1. Size:218K  rohm
 rze002p02tl.pdf pdf_icon

RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

 5.1. Size:219K  rohm
 rze002p02.pdf pdf_icon

RZE002P02TL

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

Другие MOSFET... RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , IRFZ46N , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G .

History: G30N04D3 | APT50M50L2FLLG | ZXMN6A09G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.