RZL025P01TR Todos los transistores

 

RZL025P01TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZL025P01TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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RZL025P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
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RZL025P01TR

RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit (pieces

Otros transistores... RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , 60N06 , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 .

History: LSC65R380GF | STD7N80K5

 

 
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