RZL025P01TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RZL025P01TR
   Código: YC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6

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RZL025P01TR Datasheet (PDF)

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rzl025p01tr.pdf

RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit (pieces

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Liste

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