RZL025P01TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZL025P01TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
Encapsulados: TUMT6
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RZL025P01TR datasheet
rzl025p01tr.pdf
RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces
Otros transistores... RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , IRLB3034 , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 .
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