RZL025P01TR - описание и поиск аналогов

 

RZL025P01TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZL025P01TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RZL025P01TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZL025P01TR даташит

 ..1. Size:203K  rohm
 rzl025p01tr.pdf pdf_icon

RZL025P01TR

RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces

Другие MOSFET... RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , IRLB3034 , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 .

History: DMP2004DWK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.