RZL025P01TR - аналоги и даташиты транзистора

 

RZL025P01TR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RZL025P01TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RZL025P01TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZL025P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
 rzl025p01tr.pdf pdf_icon

RZL025P01TR

RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit (pieces

Другие MOSFET... RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , 60N06 , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 .

History: STP20NM60A | IPG16N10S4-61A | IXFH6N100F | TJ10S04M3L | MEE4292-G | MEE4292P-G | IPG20N04S4-18A

 

 
Back to Top

 


 
.