Справочник MOSFET. RZL025P01TR

 

RZL025P01TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZL025P01TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RZL025P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
 rzl025p01tr.pdf pdf_icon

RZL025P01TR

RZL025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZL025P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YC Application Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit (pieces

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N4392CSM | NTB5404N | MTE130N20FP | QS8K13 | TK3A60DA | TTP118N08A

 

 
Back to Top

 


 
.