RZM001P02 Todos los transistores

 

RZM001P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZM001P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: VMT3

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RZM001P02 datasheet

 ..1. Size:397K  rohm
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RZM001P02

RZM001P02 Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) VMT3 RDS(on) (Max.) 3.8W (1) ID -100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

 9.1. Size:218K  rohm
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RZM001P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZM002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) High Speed Switching. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 3) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive) 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol YK Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications

 9.2. Size:1872K  cn tech public
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RZM001P02

Otros transistores... RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , IRFB7545 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 .

History: AP3P7R0ES | BUK457-400A | 2SJ0582 | AP3N2R8H | 15N05 | 2SK2975 | JMH65R600MK

 

 

 

 

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