Справочник MOSFET. RZM001P02

 

RZM001P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZM001P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: VMT3
 

 Аналог (замена) для RZM001P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZM001P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  rohm
 rzm001p02.pdf pdf_icon

RZM001P02

RZM001P02 Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20V(3) VMT3RDS(on) (Max.)3.8W(1) ID-100mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

 9.1. Size:218K  rohm
 rzm002p02.pdf pdf_icon

RZM001P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZM002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET VMT31.20.32 Features (3)1) High Speed Switching. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.133) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive) 0.4 0.4 0.50.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : YK Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications

 9.2. Size:1872K  cn tech public
 przm002p02t2l.pdf pdf_icon

RZM001P02

Другие MOSFET... RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , 8N60 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 .

History: OSG70R1KDF | NCE70T900D | HCP65R165 | P1060ATFS | LSB60R030HT | CEP04N65 | VBE1101N

 

 
Back to Top

 


 
.