RZQ045P01TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZQ045P01TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: TSMT6
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RZQ045P01TR datasheet
rzq045p01tr.pdf
RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0 0.1 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol YG Switchin
rzq045p01.pdf
RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0 0.1 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol YG Switchin
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