RZQ045P01TR Todos los transistores

 

RZQ045P01TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZQ045P01TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RZQ045P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  rohm
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RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

 5.1. Size:174K  rohm
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RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

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History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
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