Справочник MOSFET. RZQ045P01TR

 

RZQ045P01TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZQ045P01TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RZQ045P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  rohm
 rzq045p01tr.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

 5.1. Size:174K  rohm
 rzq045p01.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.