RZQ045P01TR - описание и поиск аналогов

 

RZQ045P01TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZQ045P01TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RZQ045P01TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZQ045P01TR даташит

 ..1. Size:171K  rohm
 rzq045p01tr.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0 0.1 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol YG Switchin

 5.1. Size:174K  rohm
 rzq045p01.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0 0.1 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol YG Switchin

Другие MOSFET... RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , AON7403 , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 .

History: 2SK1500

 

 

 

 

↑ Back to Top
.