Справочник MOSFET. RZQ045P01TR

 

RZQ045P01TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZQ045P01TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RZQ045P01TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZQ045P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  rohm
 rzq045p01tr.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

 5.1. Size:174K  rohm
 rzq045p01.pdf pdf_icon

RZQ045P01TR

RZQ045P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZQ045P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.13) Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : YGSwitchin

Другие MOSFET... RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , EMB04N03H , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 .

 

 
Back to Top

 


 
.