RZY200P01TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZY200P01TL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TCPT3
Búsqueda de reemplazo de RZY200P01TL MOSFET
RZY200P01TL Datasheet (PDF)
rzy200p01tl.pdf
RZY200P01 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RZY200P01 ICs Transistors1.5V Drive Pch MOSFET Discrete 2010.07.21 RZY200P01 NEW Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model Data
Otros transistores... RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , K2611 , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP .
History: 4N65L-TMS-T | 2SK1191
History: 4N65L-TMS-T | 2SK1191
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815

