RZY200P01TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZY200P01TL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TCPT3
- Selección de transistores por parámetros
RZY200P01TL Datasheet (PDF)
rzy200p01tl.pdf

RZY200P01 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RZY200P01 ICs Transistors1.5V Drive Pch MOSFET Discrete 2010.07.21 RZY200P01 NEW Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model Data
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P
History: MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P



Liste
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