Справочник MOSFET. RZY200P01TL

 

RZY200P01TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZY200P01TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TCPT3
 

 Аналог (замена) для RZY200P01TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZY200P01TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  rohm
 rzy200p01tl.pdf pdf_icon

RZY200P01TL

RZY200P01 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RZY200P01 ICs Transistors1.5V Drive Pch MOSFET Discrete 2010.07.21 RZY200P01 NEW Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model Data

Другие MOSFET... RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , IRF9640 , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP .

History: LNG7N65D | AON6980 | WMB072N12LG2-S

 

 
Back to Top

 


 
.