Справочник MOSFET. RZY200P01TL

 

RZY200P01TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RZY200P01TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TCPT3

 Аналог (замена) для RZY200P01TL

 

 

RZY200P01TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  rohm
 rzy200p01tl.pdf

RZY200P01TL

RZY200P01 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RZY200P01 ICs Transistors1.5V Drive Pch MOSFET Discrete 2010.07.21 RZY200P01 NEW Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model Data

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top