SBSS84LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SBSS84LT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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SBSS84LT1G datasheet
bvss84l sbss84lt1g.pdf
BSS84L, BVSS84L Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 V Rating Symbol Value Unit P-Channel Drain-to-Source Voltag
Otros transistores... RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , RU7088R , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP .
History: 2SK1502 | JMSH0602AG
History: 2SK1502 | JMSH0602AG
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Liste
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