SBSS84LT1G Todos los transistores

 

SBSS84LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBSS84LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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SBSS84LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 bvss84l sbss84lt1g.pdf pdf_icon

SBSS84LT1G

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacehttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 VRating Symbol Value UnitP-ChannelDrain-to-Source Voltag

Otros transistores... RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , MMD60R360PRH , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP .

History: ME7114S-G | STF8NM60N | NCEP30T21GU | H5N2519P

 

 
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