Справочник MOSFET. SBSS84LT1G

 

SBSS84LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SBSS84LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SBSS84LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SBSS84LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 bvss84l sbss84lt1g.pdf pdf_icon

SBSS84LT1G

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacehttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 VRating Symbol Value UnitP-ChannelDrain-to-Source Voltag

Другие MOSFET... RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , MMD60R360PRH , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP .

History: 4N70KL-TND-R | WMR07N06TS

 

 
Back to Top

 


 
.