Справочник MOSFET. SBSS84LT1G

 

SBSS84LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SBSS84LT1G
   Маркировка: PD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для SBSS84LT1G

 

 

SBSS84LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 bvss84l sbss84lt1g.pdf

SBSS84LT1G SBSS84LT1G

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacehttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 VRating Symbol Value UnitP-ChannelDrain-to-Source Voltag

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top