Справочник MOSFET. SBSS84LT1G

 

SBSS84LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SBSS84LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SBSS84LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 bvss84l sbss84lt1g.pdf pdf_icon

SBSS84LT1G

BSS84L, BVSS84LPower MOSFETSingle P-Channel SOT-23-50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spacehttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 VRating Symbol Value UnitP-ChannelDrain-to-Source Voltag

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.