SIJ420DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIJ420DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1085 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Encapsulados: SO-8L
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SIJ420DP datasheet
sij420dp.pdf
New Product SiJ420DP Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 20 28.7 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Dire
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History: 2SJ540 | SCH2825 | TK50F15J1
History: 2SJ540 | SCH2825 | TK50F15J1
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