SIJ420DP Todos los transistores

 

SIJ420DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIJ420DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1085 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIJ420DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIJ420DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sij420dp.pdf pdf_icon

SIJ420DP

New ProductSiJ420DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Dire

Otros transistores... S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , BS170 , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP .

History: SCT3160KL | WSF50N10G | 2SK2723 | MEE6240T | MEE7292-G | SIR166DP

 

 
Back to Top

 


 
.