SIJ420DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIJ420DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: SO-8L
SIJ420DP Datasheet (PDF)
..1. Size:128K vishay
sij420dp.pdf
sij420dp.pdf
New ProductSiJ420DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Dire
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
