SIJ420DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SIJ420DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIJ420DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ420DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ420DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sij420dp.pdf pdf_icon

SIJ420DP

New ProductSiJ420DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Dire

Другие MOSFET... S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , BS170 , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP .

History: HGP037N10T | WMP10N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.