SIJ458DP Todos los transistores

 

SIJ458DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIJ458DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 892 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIJ458DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIJ458DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  vishay
 sij458dp.pdf pdf_icon

SIJ458DP

New ProductSiJ458DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0022 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET30 40.6 nC0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direct

Otros transistores... SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , IRFZ44N , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP .

History: PNMUT20V06

 

 
Back to Top

 


 
.