SIJ458DP Todos los transistores

 

SIJ458DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIJ458DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 892 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: SO-8L

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SIJ458DP datasheet

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SIJ458DP

New Product SiJ458DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0022 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 30 40.6 nC 0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direct

Otros transistores... SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , IRFZ44N , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP .

History: ME7839S-G | WMR07P03TS | APT10035JFLL | RW1E025RP | IPD70R600CE | AP3C023AMT | APT5030BN

 

 

 

 

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