SIJ458DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIJ458DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 892 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
Тип корпуса: SO-8L
Аналог (замена) для SIJ458DP
SIJ458DP Datasheet (PDF)
sij458dp.pdf
New ProductSiJ458DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0022 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET30 40.6 nC0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direct
Другие MOSFET... SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , IRFZ44N , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP .
History: SDF04N60 | RCJ120N25 | RCJ200N20 | JMSL0301TG | JMSH1004RG | 2SJ506L | 2SJ529S
History: SDF04N60 | RCJ120N25 | RCJ200N20 | JMSL0301TG | JMSH1004RG | 2SJ506L | 2SJ529S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569


