SIJ458DP - описание и поиск аналогов

 

SIJ458DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIJ458DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 892 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: SO-8L

Аналог (замена) для SIJ458DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ458DP даташит

 ..1. Size:129K  vishay
 sij458dp.pdf pdf_icon

SIJ458DP

New Product SiJ458DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0022 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 30 40.6 nC 0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direct

Другие MOSFET... SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , IRFZ44N , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP .

History: ME6980ED-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.