Справочник MOSFET. SIJ458DP

 

SIJ458DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIJ458DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 892 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ458DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ458DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  vishay
 sij458dp.pdf pdf_icon

SIJ458DP

New ProductSiJ458DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0022 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET30 40.6 nC0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direct

Другие MOSFET... SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , IRFZ44N , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP .

History: STT08L01 | MCAC50N06Y | BSP613P | 2SK3322

 

 
Back to Top

 


 
.