SIJ470DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIJ470DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIJ470DP

SIJ470DP Datasheet (PDF)

..1. Size:163K vishay
sij470dp.pdf

SiJ470DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0091 at VGS = 10 V 58.8 100 % Rg and UIS Tested100 28.5 nC0.0100 at VGS = 7.5 V 54.6 Material categorization: For definitions of compliance please see

9.1. Size:164K vishay
sij478dp.pdf

SiJ478DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0080 at VGS = 10 V 60a Material categorization: 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 60a 17.1 nCFor definitions of compliance please see 0.0115 at VGS = 4.5 V 54www.vishay.com/doc?99912

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