SIJ470DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIJ470DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
Encapsulados: SO-8L
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SIJ470DP datasheet
sij470dp.pdf
SiJ470DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0091 at VGS = 10 V 58.8 100 % Rg and UIS Tested 100 28.5 nC 0.0100 at VGS = 7.5 V 54.6 Material categorization For definitions of compliance please see
sij478dp.pdf
SiJ478DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0080 at VGS = 10 V 60a Material categorization 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 60a 17.1 nC For definitions of compliance please see 0.0115 at VGS = 4.5 V 54 www.vishay.com/doc?99912
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History: APT45M100J
History: APT45M100J
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