Справочник MOSFET. SIJ470DP

 

SIJ470DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIJ470DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ470DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ470DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  vishay
 sij470dp.pdf pdf_icon

SIJ470DP

SiJ470DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0091 at VGS = 10 V 58.8 100 % Rg and UIS Tested100 28.5 nC0.0100 at VGS = 7.5 V 54.6 Material categorization: For definitions of compliance please see

 9.1. Size:164K  vishay
 sij478dp.pdf pdf_icon

SIJ470DP

SiJ478DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0080 at VGS = 10 V 60a Material categorization: 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 60a 17.1 nCFor definitions of compliance please see 0.0115 at VGS = 4.5 V 54www.vishay.com/doc?99912

Другие MOSFET... SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , IRF3205 , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP .

History: NTB75N06L | CS138 | FQPF5N15 | STU11NM60ND | RJK0853DPB

 

 
Back to Top

 


 
.