SIJ482DP Todos los transistores

 

SIJ482DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIJ482DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIJ482DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIJ482DP datasheet

 ..1. Size:195K  vishay
 sij482dp.pdf pdf_icon

SIJ482DP

New Product SiJ482DP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) 100 % Rg and UIS Tested ID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive 0.0062 at VGS = 10 V Material categorization 0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nC For definitions of compliance please see 0.0095 a

 9.1. Size:171K  vishay
 sij484dp.pdf pdf_icon

SIJ482DP

New Product SiJ484DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 13.7 nC 0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 35g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

Otros transistores... SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , IRF840 , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP .

History: DG2N60-252 | CSFR4N60D

 

 
Back to Top

 


 
.