Справочник MOSFET. SIJ482DP

 

SIJ482DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIJ482DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L

 Аналог (замена) для SIJ482DP

 

 

SIJ482DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  vishay
 sij482dp.pdf

SIJ482DP SIJ482DP

New ProductSiJ482DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) 100 % Rg and UIS TestedID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive0.0062 at VGS = 10 V Material categorization:0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nCFor definitions of compliance please see0.0095 a

 9.1. Size:171K  vishay
 sij484dp.pdf

SIJ482DP SIJ482DP

New ProductSiJ484DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 13.7 nC0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top