SIJ484DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIJ484DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIJ484DP

SIJ484DP Datasheet (PDF)

..1. Size:171K vishay
sij484dp.pdf

New ProductSiJ484DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 13.7 nC0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

9.1. Size:195K vishay
sij482dp.pdf

New ProductSiJ482DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) 100 % Rg and UIS TestedID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive0.0062 at VGS = 10 V Material categorization:0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nCFor definitions of compliance please see0.0095 a

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SWF10N70K

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: