SIJ484DP Todos los transistores

 

SIJ484DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIJ484DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: SO-8L

 Búsqueda de reemplazo de SIJ484DP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIJ484DP datasheet

 ..1. Size:171K  vishay
 sij484dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New Product SiJ484DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 13.7 nC 0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 35g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

 9.1. Size:195K  vishay
 sij482dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New Product SiJ482DP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) 100 % Rg and UIS Tested ID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive 0.0062 at VGS = 10 V Material categorization 0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nC For definitions of compliance please see 0.0095 a

Otros transistores... SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , 20N60 , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP .

History: DMP56D0UFB | UPA1727G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.