SIJ484DP - описание и поиск аналогов

 

SIJ484DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIJ484DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: SO-8L

Аналог (замена) для SIJ484DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ484DP даташит

 ..1. Size:171K  vishay
 sij484dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New Product SiJ484DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 13.7 nC 0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 35g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

 9.1. Size:195K  vishay
 sij482dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New Product SiJ482DP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) 100 % Rg and UIS Tested ID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive 0.0062 at VGS = 10 V Material categorization 0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nC For definitions of compliance please see 0.0095 a

Другие MOSFET... SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , 20N60 , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP .

History: APT4025BN | AP3N3R3MT | MS3N80 | 2SK2223-01R | H5N50U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.