Справочник MOSFET. SIJ484DP

 

SIJ484DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIJ484DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ484DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ484DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  vishay
 sij484dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New ProductSiJ484DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0063 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 13.7 nC0.0082 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Direc

 9.1. Size:195K  vishay
 sij482dp.pdf pdf_icon

SIJ484DP

New ProductSiJ482DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) 100 % Rg and UIS TestedID (A)a, g Qg (Typ.) Capable of Operating with 5 V Gate Drive0.0062 at VGS = 10 V Material categorization:0.0065 at VGS = 7.5 V 80 60 24 nCFor definitions of compliance please see0.0095 a

Другие MOSFET... SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , 20N60 , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP .

 

 
Back to Top

 


 
.