SIJ800DP Todos los transistores

 

SIJ800DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIJ800DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: SO-8L

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SIJ800DP datasheet

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SIJ800DP

SiJ800DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = 10 V 20a TrenchFET Power MOSFET 40 16 nC 100 % Rg Tested 0.0115 at VGS = 4.5 V 20a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8L Single APP

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History: JMSH2010PTL | DMTH8012LK3 | 2SK1632

 

 

 

 

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