Справочник MOSFET. SIJ800DP

 

SIJ800DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIJ800DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ800DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ800DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  vishay
 sij800dp.pdf pdf_icon

SIJ800DP

SiJ800DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = 10 V 20a TrenchFET Power MOSFET40 16 nC 100 % Rg Tested0.0115 at VGS = 4.5 V 20a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8L SingleAPP

Другие MOSFET... SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , IRF540 , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP .

History: SWMN12N65D | APM2300CAC | VBZFB60N03 | IPB049N06L3G | SVF10N65CFJ | RTR025N03 | STN3N45K3

 

 
Back to Top

 


 
.