SIJ800DP - описание и поиск аналогов

 

SIJ800DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIJ800DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: SO-8L

Аналог (замена) для SIJ800DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ800DP даташит

 ..1. Size:133K  vishay
 sij800dp.pdf pdf_icon

SIJ800DP

SiJ800DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = 10 V 20a TrenchFET Power MOSFET 40 16 nC 100 % Rg Tested 0.0115 at VGS = 4.5 V 20a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8L Single APP

Другие MOSFET... SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , IRF540N , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.