SIR316DP Todos los transistores

 

SIR316DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR316DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR316DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  vishay
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SIR316DP

New ProductSiR316DPVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0068 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET25 7.4 nC0.0093 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested30g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

Otros transistores... SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , IRF1404 , SIR330DP , SIR401DP , SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP , SIR410DP .

History: 2SK369 | SM8403CSQ | 2SK1774 | HCCW120R080H1 | SIR330DP | IXFP34N65X2M

 

 
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