Справочник MOSFET. SIR316DP

 

SIR316DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR316DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR316DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR316DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  vishay
 sir316dp.pdf pdf_icon

SIR316DP

New ProductSiR316DPVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0068 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET25 7.4 nC0.0093 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested30g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

Другие MOSFET... SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , IRF1404 , SIR330DP , SIR401DP , SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP , SIR410DP .

History: 2SK3353 | 2SK4065K | SIHFIB7N50A

 

 
Back to Top

 


 
.