SIR316DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR316DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR316DP Datasheet (PDF)
sir316dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSiR316DPVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0068 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET25 7.4 nC0.0093 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested30g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![SIR316DP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SIR316DP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SIR316DP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B