SIR440DP Todos los transistores

 

SIR440DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR440DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR440DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  vishay
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SIR440DP

New ProductSiR440DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.00155 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 20 43.5 nC 100 % Rg Tested0.002 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Fixed Telecom High Current dc

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History: PMG85XP | TPCF8108 | RUR040N02TL | JCS5N65FB | FQD13N06TM | 2SK3219-01MR | AOSD21311C

 

 
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