SIR440DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR440DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR440DP datasheet

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SIR440DP

New Product SiR440DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.00155 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 20 43.5 nC 100 % Rg Tested 0.002 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Fixed Telecom High Current dc

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