Справочник MOSFET. SIR440DP

 

SIR440DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR440DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00155 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR440DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  vishay
 sir440dp.pdf pdf_icon

SIR440DP

New ProductSiR440DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.00155 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 20 43.5 nC 100 % Rg Tested0.002 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Fixed Telecom High Current dc

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUK9523-75A | EMF02P02H | NDT6N70 | AMD531C | WMK053NV8HGS | IPD50R280CE | SIR892DP

 

 
Back to Top

 


 
.