SIR484DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR484DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SIR484DP MOSFET
SIR484DP PDF Specs
sir484dp.pdf
SiR484DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0083 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 20 7.1 nC 0.0115 at VGS = 4.5 V 20 Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous Rectifier PowerPAK SO-8 Operation ... See More ⇒
sir482dp.pdf
New Product SiR482DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 12 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 35g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK ... See More ⇒
Otros transistores... SIR464DP , SIR466DP , SIR468DP , SIR470DP , SIR472ADP , SIR472DP , SIR474DP , SIR476DP , SKD502T , SIR492DP , SIR494DP , SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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