SIR484DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR484DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SIR484DP MOSFET
SIR484DP Datasheet (PDF)
sir484dp.pdf
SiR484DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0083 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 20 7.1 nC0.0115 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-8 Operation
sir482dp.pdf
New ProductSiR482DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK
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