SIR484DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR484DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR484DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR484DP даташит

 ..1. Size:320K  vishay
 sir484dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

SiR484DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0083 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 20 7.1 nC 0.0115 at VGS = 4.5 V 20 Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous Rectifier PowerPAK SO-8 Operation

 9.1. Size:503K  vishay
 sir482dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

New Product SiR482DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 12 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 35g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK

Другие IGBT... SIR464DP, SIR466DP, SIR468DP, SIR470DP, SIR472ADP, SIR472DP, SIR474DP, SIR476DP, SKD502T, SIR492DP, SIR494DP, SIR496DP, SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, SIR662DP, SIR698DP