Справочник MOSFET. SIR484DP

 

SIR484DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR484DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR484DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR484DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  vishay
 sir484dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

SiR484DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0083 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 20 7.1 nC0.0115 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-8 Operation

 9.1. Size:503K  vishay
 sir482dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

New ProductSiR482DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

Другие MOSFET... SIR464DP , SIR466DP , SIR468DP , SIR470DP , SIR472ADP , SIR472DP , SIR474DP , SIR476DP , IRF9540N , SIR492DP , SIR494DP , SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP .

History: TK50P04M1 | OSG65R074KT3ZF | FDMC8010DC

 

 
Back to Top

 


 
.