Справочник MOSFET. SIR484DP

 

SIR484DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR484DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR484DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  vishay
 sir484dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

SiR484DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0083 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 20 7.1 nC0.0115 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-8 Operation

 9.1. Size:503K  vishay
 sir482dp.pdf pdf_icon

SIR484DP

New ProductSiR482DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested35g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP9581GS | RQ3E130MN | APT10050LVFR | APT1001R2HN | STM8300 | SI1402DH | IRFP150FI

 

 
Back to Top

 


 
.