SIR662DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR662DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR662DP datasheet

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SIR662DP

New Product SiR662DP Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0027 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency 60 0.0048 at VGS = 4.5 V 60 27.5 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0033 at VGS = 6 V 60 www.vi

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