Справочник MOSFET. SIR662DP

 

SIR662DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIR662DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIR662DP

 

 

SIR662DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
 sir662dp.pdf

SIR662DP SIR662DP

New ProductSiR662DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0027 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0048 at VGS = 4.5 V 60 27.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0033 at VGS = 6 V 60www.vi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top