Справочник MOSFET. SIR662DP

 

SIR662DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR662DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR662DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR662DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
 sir662dp.pdf pdf_icon

SIR662DP

New ProductSiR662DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0027 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0048 at VGS = 4.5 V 60 27.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0033 at VGS = 6 V 60www.vi

Другие MOSFET... SIR476DP , SIR484DP , SIR492DP , SIR494DP , SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , AON7506 , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP .

History: INK0103AU1 | APT10021JLL | CS27P06

 

 
Back to Top

 


 
.