SIR662DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR662DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR662DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR662DP даташит

 ..1. Size:507K  vishay
 sir662dp.pdf pdf_icon

SIR662DP

New Product SiR662DP Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0027 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency 60 0.0048 at VGS = 4.5 V 60 27.5 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0033 at VGS = 6 V 60 www.vi

Другие IGBT... SIR476DP, SIR484DP, SIR492DP, SIR494DP, SIR496DP, SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, IRFB3607, SIR698DP, SIR770DP, SIR774DP, SIR788DP, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP