SIR698DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR698DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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SIR698DP Datasheet (PDF)
sir698dp.pdf
SiR698DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.9 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/9
sir690dp.pdf
SiR690DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONSD4 S1G DC/DC convertersT
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Liste
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