SIR698DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIR698DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIR698DP
SIR698DP Datasheet (PDF)
sir698dp.pdf

SiR698DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.9 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/9
sir690dp.pdf

SiR690DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONSD4 S1G DC/DC convertersT
Другие MOSFET... SIR484DP , SIR492DP , SIR494DP , SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , IRLZ44N , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP .
History: MTM12N10
History: MTM12N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout