SIR774DP Todos los transistores

 

SIR774DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR774DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR774DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  vishay
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SIR774DP

New ProductSiR774DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET 0.0026 at VGS = 10 V 40Power MOSFET and Schottky Diode30 28.5 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg and UIS Tested

 9.1. Size:510K  vishay
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SIR774DP

SiR770DPVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS RDS(on) () ID (A)a, f Qg (Typ.)Definition0.021 at VGS = 10 V 8.0Channel-1 30 6.6 TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 30 6.6 Compliant

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History: AP30T10GI-HF | SI4660DY | LSD55R066GT | LND10N65 | SIHF820S | SIHF9540S

 

 
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