SIR774DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR774DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR774DP datasheet

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SIR774DP

New Product SiR774DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET 0.0026 at VGS = 10 V 40 Power MOSFET and Schottky Diode 30 28.5 nC 0.0034 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg and UIS Tested

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SIR774DP

SiR770DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS RDS(on) ( ) ID (A)a, f Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.0 Channel-1 30 6.6 TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested 0.021 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 6.6 Compliant

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