SIR774DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR774DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 705 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR774DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR774DP даташит

 ..1. Size:182K  vishay
 sir774dp.pdf pdf_icon

SIR774DP

New Product SiR774DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET 0.0026 at VGS = 10 V 40 Power MOSFET and Schottky Diode 30 28.5 nC 0.0034 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg and UIS Tested

 9.1. Size:510K  vishay
 sir770dp.pdf pdf_icon

SIR774DP

SiR770DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS RDS(on) ( ) ID (A)a, f Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.0 Channel-1 30 6.6 TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested 0.021 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 30 6.6 Compliant

Другие IGBT... SIR494DP, SIR496DP, SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, SIR662DP, SIR698DP, SIR770DP, CS150N03A8, SIR788DP, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, SIR812DP, SIR818DP