SIR788DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR788DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR788DP datasheet

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SIR788DP

New Product SiR788DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Power MOSFET and Schottky Diode 0.0034 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 60 30 24 nC 100 % Avalanche Tested 0.0043 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization For defi

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