Справочник MOSFET. SIR788DP

 

SIR788DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR788DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR788DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR788DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  vishay
 sir788dp.pdf pdf_icon

SIR788DP

New ProductSiR788DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode0.0034 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested6030 24 nC 100 % Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization:For defi

Другие MOSFET... SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , IRFP450 , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP .

History: AOD408 | UTT40N03

 

 
Back to Top

 


 
.