SIR788DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR788DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 555 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR788DP Datasheet (PDF)
..1. Size:337K vishay
sir788dp.pdf
sir788dp.pdf
New ProductSiR788DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode0.0034 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested6030 24 nC 100 % Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization:For defi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
