SIR788DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR788DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR788DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR788DP даташит

 ..1. Size:337K  vishay
 sir788dp.pdf pdf_icon

SIR788DP

New Product SiR788DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Power MOSFET and Schottky Diode 0.0034 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 60 30 24 nC 100 % Avalanche Tested 0.0043 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization For defi

Другие IGBT... SIR496DP, SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, SIR662DP, SIR698DP, SIR770DP, SIR774DP, NCEP15T14, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, SIR812DP, SIR818DP, SIR820DP