SIR788DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIR788DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIR788DP
SIR788DP Datasheet (PDF)
sir788dp.pdf

New ProductSiR788DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode0.0034 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested6030 24 nC 100 % Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization:For defi
Другие MOSFET... SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , IRFP450 , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP .
History: TSP15N10A | SSM3K16FS | AUIRFN8405TR | HGI1K2N20ML | BLL6H1214L-250 | NCE0203S
History: TSP15N10A | SSM3K16FS | AUIRFN8405TR | HGI1K2N20ML | BLL6H1214L-250 | NCE0203S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet