SIR798DP Todos los transistores

 

SIR798DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR798DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 895 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00205 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR798DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
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SIR798DP

New ProductSiR798DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00205 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET 6030 41.6 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.00300 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg and UIS Tested

Otros transistores... SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , IRFP250 , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP .

History: SE8205A | SSM5N03FE | P3606BK | ZXMN7A11K | MMP3443 | FCP099N65S3 | HCFL70R360

 

 
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