SIR798DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR798DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00205 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR798DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR798DP даташит

 ..1. Size:154K  vishay
 sir798dp.pdf pdf_icon

SIR798DP

Другие IGBT... SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, SIR662DP, SIR698DP, SIR770DP, SIR774DP, SIR788DP, AON7506, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, SIR812DP, SIR818DP, SIR820DP, SIR826ADP