Справочник MOSFET. SIR798DP

 

SIR798DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIR798DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00205 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIR798DP

 

 

SIR798DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 sir798dp.pdf

SIR798DP SIR798DP

New ProductSiR798DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00205 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET 6030 41.6 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.00300 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top