Справочник MOSFET. SIR798DP

 

SIR798DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR798DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00205 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR798DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR798DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 sir798dp.pdf pdf_icon

SIR798DP

New ProductSiR798DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00205 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET 6030 41.6 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.00300 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , IRFP250 , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP .

History: HRLD72N06 | HMS85N95 | SQJ457EP | BUZ100S | PDP3960 | IRF1503LPBF | KP8N60F

 

 
Back to Top

 


 
.