SIR802DP Todos los transistores

 

SIR802DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR802DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIR802DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  vishay
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SIR802DP

New ProductSiR802DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
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SIR802DP

SIR802DP-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOL

 9.1. Size:500K  vishay
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SIR802DP

New ProductSiR804DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di

 9.2. Size:341K  vishay
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SIR802DP

New ProductSiR800DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS

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History: TSM23N50CN | IRFR9220 | BFC23 | 2SK2764-01R | SIR496DP | WFP2N60 | AO4914

 

 
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