SIR802DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIR802DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIR802DP
SIR802DP Datasheet (PDF)
sir802dp.pdf

New ProductSiR802DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH
sir802dp-t1-ge3.pdf

SIR802DP-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOL
sir804dp.pdf

New ProductSiR804DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di
sir800dp.pdf

New ProductSiR800DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS
Другие MOSFET... SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , IRF1407 , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP .
History: FXN12N60FS | P0660ED | SI2301BDS-T1-GE3 | 2SK3857TV | FHF4N60A | HSM6901 | FXN11N45F
History: FXN12N60FS | P0660ED | SI2301BDS-T1-GE3 | 2SK3857TV | FHF4N60A | HSM6901 | FXN11N45F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526