SIR808DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR808DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR808DP datasheet

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SIR808DP

SiR808DP Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 25 7.5 nC 0.0119 at VGS = 4.5 V Low Thermal Resistance PowerPAK 20 Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchron

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SIR808DP

New Product SiR802DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested 0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH

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SIR808DP

New Product SiR804DP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested 0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di

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SIR808DP

New Product SiR800DP Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested 0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS

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