Справочник MOSFET. SIR808DP

 

SIR808DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIR808DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIR808DP

 

 

SIR808DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  vishay
 sir808dp.pdf

SIR808DP SIR808DP

SiR808DPVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET25 7.5 nC0.0119 at VGS = 4.5 V Low Thermal Resistance PowerPAK 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchron

 9.1. Size:509K  vishay
 sir802dp.pdf

SIR808DP SIR808DP

New ProductSiR802DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH

 9.2. Size:500K  vishay
 sir804dp.pdf

SIR808DP SIR808DP

New ProductSiR804DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di

 9.3. Size:341K  vishay
 sir800dp.pdf

SIR808DP SIR808DP

New ProductSiR800DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS

 9.4. Size:866K  cn vbsemi
 sir802dp-t1-ge3.pdf

SIR808DP SIR808DP

SIR802DP-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOL

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top