SIR808DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR808DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR808DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR808DP даташит

 ..1. Size:477K  vishay
 sir808dp.pdf pdf_icon

SIR808DP

SiR808DP Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 25 7.5 nC 0.0119 at VGS = 4.5 V Low Thermal Resistance PowerPAK 20 Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchron

 9.1. Size:509K  vishay
 sir802dp.pdf pdf_icon

SIR808DP

New Product SiR802DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested 0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH

 9.2. Size:500K  vishay
 sir804dp.pdf pdf_icon

SIR808DP

New Product SiR804DP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested 0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di

 9.3. Size:341K  vishay
 sir800dp.pdf pdf_icon

SIR808DP

New Product SiR800DP Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested 0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIR698DP, SIR770DP, SIR774DP, SIR788DP, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, AO4407, SIR812DP, SIR818DP, SIR820DP, SIR826ADP, SIR826DP, SIR836DP, SIR838DP, SIR844DP